ترجمه مقاله مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى 65 نانومتری

عنوان انگلیسی مقاله: New Subthreshold Concepts in 65nm CMOS Technology

عنوان فارسی مقاله:  مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى 65 نانومتری.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 16

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

در این مقاله، در مورد چالش های مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای  در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایش های گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی  و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.

کلمات کلیدی: ولتاژ پایین، کم توان، زیرآستانه، مقیاس نانو

1-مقدمه:

در چند سال اخیر، تلاشهای زیادی در جهت تحقیق و توسعه مدارهای کاربردی کم توان برای گرههای حسگری بی سیم تغذیه شده با باتری صورت گرفته است. اخیرا تعدادی از مقالات در این زمینه، در رابطه با استفاده از حوزه زمانی ADC به جای حوزه دامنه بحث کرده اند [1] – [4]. در مقالات مذکور، مبدل ها را می توان تماما از مولفه مداری دیجیتال ایجاد کرد ، اما این کار شرایط بسیار بسته ای را برای مقایسه گر  و مدار نمونه بردای  ایجاد خواهد کرد. برای مطابقت با این شرایط، باید فلیپ فلاپ های کم توان و پرسرعت با احتمال کم زیرپایداری طراحی شود. در سالهای اخیر، با کوچک شدن مقیاس های مداری در ابعاد اتمی، جریان های نشت مداری افزایش چشمگیر داشته است که منجر به اتلاف توان بالاتر می شود. 

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله طراحی ناظر برای سیستم های ذاتاً غیرخطی با ساختار پایین مثلثی

عنوان انگلیسی مقاله: Observer design for inherently nonlinear systems with lower triangular structure

عنوان فارسی مقاله: طراحی ناظر برای سیستم های ذاتاً غیرخطی با ساختار پایین مثلثی.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 11

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

پروسه جدید مشاهده برای گروه وسیعی از سیستم های غیرخطی قابل مشاهده خروجی تک نوشته شده در شکل پایین مثلثی مطرح شده است. ابتدا، مشتق گیر متغیر با زمان نوع n ام را مطرح می کنیم که در روش مجانبی مشتق بیشتر سیگنال مشتق پذیر پیوسته مدل آزاد را برآورد می کند. این مشتق گیر نوع n ام تعمیم مشتق گیر متغیر با زمان مطرح شده توسط نویسنده در [1],[2],[3] می باشد. با استفاده از تغییر مناسب متغیرها نشان داده شده است که پیوستگی سیگنال مشتق گیری شده برای همگرایی مشتق گیر ضروری نیست. بر اساس این واقعیت که سیستم های نوشته شده در شکل مثلثی از لحاظ جبری قابل مشاهده هستند، وضعیت های سیستم، می توانند از طریق وابرریختی استاتیک مجدد ایجاد شوند که شامل ورودی سیستم، خروجی سیستم و مشتق های بالاتر مربوط به خود می باشند. نشان داده شده است که همگرایی جهانی مشتق گیر نوع n ام حاکی از همگرایی مجانب وضعیت های سیستم بدون تحمیل هر گونه حالت مخصوص به خود در شکل غیرخطی است. 

واژگان شاخص : طرح ناظر غیرخطی، برآورد انطباقی، سیستم های متغیر با زمان، مشتق گیری سیگنال

1.مقدمه :

برآورد وضعیت سیستم های غیرخطی مشکل مشخص و چالش برانگیزی است که با حالت های مختلف مورد توجه قرار گرفته است. پیچیدگی بازسازی وضعیت از ارزیابی های ورودی و خروجی به غیرخطی بودن سیستم، ماهیت ورودی که سیستم را غیر قابل مشاهده می سازد و شکل خروجی سیستم که نقش اصلی در ثبات خطای مشاهده دارد، بستگی دارد. تاکنون، روش منحصر به فرد و ساده ای برای طراحی ناظر برای یک سیستم غیرخطی مشخص وجود ندارد. به هر حال، تحت شرایط خاص، راه حل های فراوانی برای اشکال خاص سیستم ها وجود دارند. با استفاده از ساختار سیستم مشاهده شده، پیوستگی وضعیت های سیستم یا ویژگی Lipschitz غیرخطی بودن سیستم، بسیاری از استراتژی ها برای ساخت یک ناظر به کار رفته شده اند.

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلی جدید

عنوان انگلیسی مقاله: New CMOS Inverter-Based Voltage Multipliers

عنوان فارسی مقاله:  ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلی جدید.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 15

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

چهار ضرب کننده ولتاژ برمبنای اینورتر CMOS جدید تشکیل شده از ترانزیستورهای عبورPMOS/NMOS، مدارات اینورتر، و خازن ها، در این مقاله ارایه شده اند. ضرب کننده های ولتاژ ارائه شده که عملیات یکسوسازها و پمپ های شارژ را با هم انجام می دهند، بازده تبدیل توان را بالا برده و تعداد مولفه های واکنشی (غیر فعال یا پسیو) را کاهش می دهد، بنابر این برای ساخت آی سی مناسب می باشند. ضرب کننده ولتاژ با ولتاژ خروجی مثبت، توسط فرآیندهای TSMC 0.35μm CMOS 2P4M پیاده سازی شده، و نتایج آزمایشی نیز مطابقت خوبی با تجزیه و تحلیل های نظری داشتند. سطح تراشه ی بدون پد، به ازای ولتاژ خروجی مثبت پنج-مرحله ای ضرب کننده ولتاژ، تنها 1.75×1.32 mm2 می باشد.

1.مقدمه:

کاربرد بیشتر و بیشتر ضرب کننده های ولتاژ، در زمینه های مختلف در نوشتجات گوناگون را می توان دید. یک پمپ شارژ AC/DC که گاهی نیز ضرب کننده ولتاژ نامیده می شود، ولتاژ AC ورودی را به ولتاژ خروجی DCبا دامنه ی افزایش یافته تبدیل می کند. به سبب ساختار ساده ی آن و عملکرد تبدیل مناسب، مدارات یکسوساز بطور گسترده ای در تشخیص فرکانس رادیویی (RFID)، تلمتری بیسیم، کاشت های پزشکی و کاربرد های دیگر، استفاده می شوند.

برای تحقیق مبدل AC/DC، یکسوسازهای تمام موج مرسوم تشکیل شده از ترانزیستورهای PMOS و NMOS دیود-متصل-شده، دارای مشکل تلفات توان مبنی بر ولتاژ آستانه ذاتی می باشند [4]. این یکسوساز معمولن در مدارات ولتاژ بالا که افت ولتاژ مستقیم دیود پایین است، کاربرد دارد. برای یکسوسازهای ولتاژ پایین، این افت ولتاژ به اندازه ی چشم گیری زیاد بوده و وابسته به جریان عبوری می باشد. ولتاژ خروجی یکسو شده و بازده ی تبدیل توان (PCE) را کاهش می دهد. به منظور بالا بردن بازده ی یکسوساز، یک یکسوساز فعال با افت ولتاژ کم، در [5] آورده شده است. 

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله استتار جنبشی در یک وضعیت تصادفی

عنوان انگلیسی مقاله: Motion camouflage in a stochastic setting

عنوان فارسی مقاله: استتار جنبشی در یک وضعیت تصادفی

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 20

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

این کار مدل‌های دو و سه بُعدی و قوانین کنترل هدایتی برای استتار جنبشی، که یک استراتژی تعقیب مخفیانه در طبیعت است، را به زبان ریاضی بیان می‌کند. در اینجا ما مدل را توسعه می‌دهیم تا دربرگیرنده استفاده از یک قانون تعقیب با بهره بالا در حضور نویز حسگر و نیز در مواقعی باشد که هدایت گریزنده توسط یک فرایند تصادفی فرمان داده می‌شود، تا نشان داده شود که (در تنظیمات مسطح) استتار جنبشی هنوز در زمان محدود قابل دسترسی است. همچنین ما خانواده‌ای از کنترل‌های تصادفی مُجاز گریزنده را بحث کرده و بدین ترتیب برای مطالعه آتی نظریه بازی‌های مربوط به استراتژی‌های بهینه گریز طرحی را بیان می‌کنیم. 

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله مدل معادله سرعت اصلاح شده شامل رزونانس فوتون-فوتون

عنوان انگلیسی مقاله: Modified rate equation model including the photon–photon resonance

عنوان فارسی مقاله:  مدل معادله سرعت اصلاح شده شامل رزونانس فوتون-فوتون.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 12

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

ما نشان می دهیم زمانی که فکتور سلول طولی در یک لیزر لبه ساطع کننده به عنوان یک متغیر پویا (دینامیک) در نظر گرفته می شود، تابع انتقال مدولاسیون دارای یک جمله اضافی می باشد. این جمله یک پیک رزونانس فوتون-فوتون مکمل در پاسخ مدولاسیون تولید می کند که فرکانس آن برابر با فاصله ی فرکانس های میان حالت های طولی زمانی که این حالت ها با فاز قفل شده به اندازه کافی طویل باشند (تقریبا-فاز-قفل-شده) است. پیک رزونانس فوتون-فوتون زمانی دارای بیشترین قدرت است که دو حالت طولی غالب با فاز تقریبا قفل شده متوالی دارای محفظه های طولی مشابه بوده و تعداد فوتون ها را بطور یکسان بخش کنند.

کلیدواژه: حالت های طولی . پاسخ مدولاسیون. تابع تبدیل مدولاسیون . رزونانس فوتون-فوتون . معادله سرعت.

1 مقدمه:

در وسایل لیزری سرعت بالای مرسوم، پاسخ مدولاسیون بطور گسترده ای به رزونانس فوتون-حامل (CPR) بستگی دارد. اگرچه، وقوع رزونانس فوتون-فوتون (PPR) می تواند بطور قابل ملاحظه ای پهنای باند مدولاسیون 3-dB را افزایش دهد. PPR (رزونانس فوتون-فوتون) در دیودهای لیزری بازتابنده براگ توزیع شده (DBR)، در لیزرهای جفت-حفره شبکه-تزریق (CCIG)، و در لیزرهای با فیدبک پسیو مشاهده شده است، اما توصیف جامعی از این پدیده ارایه نشده است.

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله الگوریتم تخمین فازور دینامیکی اصلاح شده برای سیگنال های گذرای ژنراتورهای

عنوان انگلیسی مقاله: Modified Dynamic Phasor Estimation Algorithm for the Transient Signals of Distributed Generators

عنوان فارسی مقاله:  الگوریتم تخمین فازور دینامیکی اصلاح شده برای سیگنال های گذرای ژنراتورهای توزیع شده.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 20

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

در این مقاله، یک روش تخمین (پیش بینی) فازور دینامیک اصلاح شده برای رله های حفاظتی ارایه شده است، تا فازور دینامیکی مولفه اصلی فرکانس را با دامنه متغیر-با-زمان، محاسبه کند. فرض شده است که جریان خطا، ترکیبی از آفست میرا شونده dc، یک فرکانس مولفه اصلی میرا شونده، و هارمونیک های با دامنه های ثابت است. توابع نمایی آفست dc در حال محو و مولفه اصلی فرکانس، با سری های تیلور جایگزین شده اند. سپس، از روش LC (کوچکترین مربع یا مجذور) برای تخمین دامنه ها و ثابت های زمانی مولفه های میرا شونده، استفاده شده است. عملکرد این الگوریتم، با بکاربری از سیگنال هایی که بر مبنای معادلات ساده و سیگنال های خطای بدست آمده از مدل مزرعه بادی DFIG در MATLAB Simulink شبیه سازی شده اند، ارزیابی شدند. نتایج نشان می دهند که الگوریتم ارایه شده ما می تواند تخمینی دقیق از دامنه میراشونده و ثابت زمانی مولفه اصلی فرکانس، ارائه دهد.

کلیدواژه:: ژنراتورهای توزیع شده، فازور دینامیک اصلاح شده، تخمین فازور، جریان خطای متغیر با زمان.

1.مقدمه:

این روزها، علایق زیادی برای اتصال منابع مختلف انرژی برق که با عنوان منابع انرژی توزیع شده (DER) معروف هستند به سیستم های قدرت، وجود دارد. مقدار زیادی از این علاقه به دلیل تقاضای انرژی پاک، قابلیت اطمینان بالا، و کیفیت توان بهبود یافته، می باشد. DERها چندین امکان برای تبدیل انرژی و تولید برق، ارایه می دهند. منابع انرژی و مبدل های گوناگون، برای تولید برق با استفاده از آرایه های PV (پیل خورشیدی)، توربین های بادی، مزرعه های بادی، میکروتوربین ها، موتورهای متناوب دیزولی و گاز طبیعی مرسوم، توربیین های با سوخت گاز، توربین های با بویلرهای گازی، و تکنولوژی های ذخیره انرژی بکار می روند [1]. 

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله مدل کردن و کنترل فازی درایو دی سی

عنوان انگلیسی مقاله: Modelling and Fuzzy Control of DC Drive

عنوان فارسی مقاله: مدل کردن و کنترل فازی درایو دی سی.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 11

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

یک درایو DC صنعتی (22 kW)، با کنترل کننده ی فازی شبیه سازی شده است.دو مدل (خطی و غیر خطی) و دو کنترل کننده (PID و fuzzy) نیز مورد بررسی قرار گرفته اند. استفاده از کنترل کننده ی fuzzy برای عملکرد درایو DC موفقیت آمیز بوده است.

مقدمه:

از دو مدل ریاضی درایو DC استفاده شد است. مدل اول همانند تابع تبدیل خطی مبدل و موتور DC ساخته شده است. مدل دوم ساخته شده از بلوک های پیشرفته از قسمت کتابخانه power system blockset(PSB) می باشد. این کتابخانه (library) درون محیط MATLAB/simulink از قسمت MATHWORK Inc می باشد. به نظر می رسد که استفاده از منطق فازی و مدل کتابخانه PSB روشی تازه و امیدوار کننده برای کنترل یک درایو الکتریکی می باشد.

مدل خطی درایو DC

از مدل های خطی و غیرخطی درایو DC استفاده می شود. مدل خطی شامل دو بخش می باشد: مبدل/یکسوساز و موتور DC. با استفاده از بلوک های محیط simulink (شبیه سازی)، مدل خطی موتور DC را تشکیل داده ایم (شکل 1). دو ورودی (ولتاژ و بار) و دو خروجی (سرعت زاویه ای موتور و جریان) وجود دارند. پارامترهای آن بطور خودکار از اطلاعات عددی کاتالوگ محاسبه شده اند. این پارامترها عبارتند از: توان، ولتاژ، جریان، سرعت، و غیره ی موتور. استفاده از اطلاعات نامی موتور برای محاسبه ی اندوکتانس و مقاومت روتور، ساده می باشد. محاسبه ی ثابت موتور DC و دیگر پارامترهای درونی موتور مشکل می باشد.

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله مدلسازی و شبیه سازی موتور القایی برای تشخیص نقصهای سیم پیچ های داخلی

عنوان انگلیسی مقاله: Modelling and simulation of induction motors with inter-turn faults for diagnostics

عنوان فارسی مقاله:  مدلسازی و شبیه سازی موتور القایی برای تشخیص نقصهای سیم پیچ های داخلی(نقص اتصال کوتاه در نتیجه ی از بین رفتن عایق سیم پیچ).

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 20

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

این مقاله دو مدل محوری متعامد را برای شبیه سازی موتورهای القایی سه فاز که سیم پیچ نامتقارن دارند و دارای مدارات اتصال کوتاه بر روی استاتور می باشند ارائه می دهد. مدل اول فرض می کند که هر فاز استاتور تعداد سیم پیچ های متفاوتی دارد. برای مدل نمودن دورهای اتصال کوتاه شده ی استاتور، مدل دوم فرض می نماید که فاز as  دو سیم پیچ سری دارد که یکی بخش دست نخورده و دیگری بخش اتصال کوتاه شده را نشان می دهد. مدل دوم از نتایج مدل اول برای انتقال فاز as به qd استفاده می کند به گونه ای که بخش اتصال کوتاه شده به محور q منتقل می شود. نتایج شبیه سازی دارای سازگاری خوبی با دیگر مطالعات است و با آزمایشات انجام شده بر روی یک موتور خاص که دارای کلیدهایی است که اجازه می دهد تعداد متفاوتی از دورها اتصال کوتاه گردند مقایسه گردیده است. مدل در مطالعه ی رفتار گذرا و ماندگار موتور القایی با سیم پیچهای اتصال کوتاه شده  و همچنین در بررسی همزمان(آنلاین) الگوریتم های تشخیص عیب استاتور با موفقیت مورد استفاده قرار گرفته است.

واژگان کلیدی: موتور القایی، نقص های سیم پیچ ، مدلسازی، عیب یابی، محور متعامد

1.مقدمه:

به دلیل گران بودن تعمیر ماشینها، به درازا کشیده شدن فرایند خرابی و مسایل ایمنی و سلامت، در صنایع مدرن گرایش بسیاری وجود دارد که منابع و توجهات بر روی استراتژی های عیب یابی و نگهداری پیشگیرانه ماشینهای صنعتی متمرکز گردد [1,2]. مشخص شده است که در حدود 36% از خرابی های موتورهای القایی به دلیل خرابی سیم پیچ های استاتور به وقوع می پیوندد و اعتقاد بر این است که این دسته از خرابی ها با خرابی ها ناپیدای درون سیم پیچهای یک سیم پیچ استاتور آغاز می شوند. این خرابی کوچک اولیه به اتصال کوتاه و یا خرابی های فاز به فاز اسف باری منتهی خواهند شد[1,2]. برای به دست آوردن یک اخطار پیشین در مورد خرابی و در نهایت خاموش نمودن ماشین جهت جلوگیری از خرابی های تاسف بار ، مدارات اتصال کوتاه شده سیم پیچ استاتور می بایست آشکارسازی شده و یا اینکه وجود آنها پیش بینی گردد[1-5]. 

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم-روی-سیلیکون

عنوان انگلیسی مقاله: Low Thermal Budget Monolithic Integration of Evanescent-Coupled Ge-on-SOI Photodetector on Si CMOS Platform

عنوان فارسی مقاله:  مجتمع سازی یکپارچه بادجت کم-حرارتی آشکارساز نوری ژرمانیوم-روی-سیلیکون با تزویج میرا شونده بر روی پلتفرم نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى سیلیکونی.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 24

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

طراحی و ساخت آشکارساز نور ژرمانیوم-روی-سیلیکون-روی-عایق (SOI)(منظور آشکارسازی با لایه های به ترتیب ژرمانیوم، سیلیکون و عایق بر روی یکدیگر)، با تزویج میرا شونده که بطور یکپارچه مجتمع شده است و مدارات CMOS، بر روی پلات-فرم های (پایگاه های) SOI رایج با استفاده از روش مجتمع سازی "نخست-الکترونی و سپس-فوتونی" ساخته شده است. آشکارساز نور با کارایی بالا، با یک موج بر سیلیکونی مجتمع شده، بر روی لایه همبافته جذب کننده-ژرمانیوم که بر روی یک لایه SOI بسیار نازک بطور هدفمند رشد داده شده است، نشان داده شده است. معیارهای عملکرد طراحی آشکارساز نور را که پیکربندی های PIN عمودی و جانبی را نمایان می کنند، مورد تحقیق قرار گرفته اند. زمانی که در بایاس -1.0 v کار میکند، یک آشکارساز PIN عمودی دارای جریانIdark کمتر از ∼0.57میکرو آمپر می باشد؛ در حالی که یک آشکارساز PIN جانبی مقداری کمتر از حد بالایی 1 میکروآمپری متناوب که برای گیرنده های-سرعت-بالا قابل قبول است_ دارد. پاسخدهی بسیار سریع ∼0.92 A/W، در هر دو طراحی آشکارساز به ازای طول موج 1550 نانومتر بدست آمده است، که درای بازده کوآنتومی 73% می باشد. اندازه گیری های پاسخ ضربه نشان دادند که آشکارساز PIN عمودی، در نیم-حداکثر ∼24.4 ps در یک آشکارساز PIN جانبی، به یک تمام-عرض کوچک تر افزایش پیدا می کند، که در -3 dB با پهنای باند 11.3 گیگاهرتز انجام می پذیرد. آن طور که پیداست، تاخیر زمان RC، مهم ترین عامل در پایین آوردن عملیت سرعت می باشد. به علاوه اندازه گیری طرح چشم (ترتیب باینری شبه تصادفی 2^7-1)، دستیابی آشکار سازی نوری سرعت-بالا و کم-نویز را در سرعت ذره ای (بیت ریت) 8.5 گیگابایت بر ثانیه تحقیق می کند. همچنین مشخصه های انتقال و خروجی بسیار خوب، با مدارات مجتمع (آی سی ها) اینورتر CMOS، به اضافه عملکرد های درست منطقی، بدست آمده است. معرفی یک بادجت حرارتی اضافی (800 درجه سیلیسیوس) منتج شده از رشد همبافتی ژرمانیوم، اثر زیان آور قابل مشاهده ای کنترل کانال-کوتاه مدار اینورتر CMOS ندارد. ما همچنین، مباحث مربوط به مجتمع سازی یکپارچه را روشن سازی کرده و در مورد پتانسیل گیرنده آشکارساز-Ge/CMOS سلیکونبرای کاربردهای مخابراتی فیبر نوری آینده، بحث خواهیم کرد.

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید

ترجمه مقاله لکتور: روشی برای کاهش نشتی در مدارات نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى

عنوان انگلیسی مقاله: LECTOR: A Technique for Leakage Reduction in CMOS Circuits

عنوان فارسی مقاله: لکتور: روشی برای کاهش نشتی در مدارات نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 32

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

در مدارات سیموس،کاهش ولتاژ آستانه به دلیل مقیاس بندی ولتاژ، منتهی به جریان نشتی زیرآستانه و در نتیجه تلفات توان ایستا (استاتیک) می شود. در اینجا ما روشی تازه به نام LECTOR برای طراحی گیت های سیموس که به  طور قابل توجهی جریان نشتی را بدون افزایش تلفات توان پویا (دینامیک) کاهش می دهد، ارایه می کنیم. در روش پیشنهاد شده ما،دو ترانزیستور کنترل نشتی (یکی نوع n و دیگری نوع p) در درون دروازه های منطقی که ترمینال گیت هر ترانزیستور کنترل نشتی (LCT) توسط منبع گیت دیگر کنترل می شود را معرفی می کنیم. در این آرایش،یکی از LCTها (منظور ترانزیستورهای کنترل نشتی) همیشه به ازای هر ترکیب ورودی، نزدیک به ولتاژ قطع می باشد. این مقاومت مسیر Vdd به گراند را کاهش داده، که این منجر به کاهش چشمگیر جریان نشتی می شود. نت لیست سطح-گیت مدار داده شده، نخست به یک پیاده سازی گیت پیچیده ی CMOS استاتیک تبدیل شده، و سپس LCTها به منظور دستیابی به یک مدار کنترل نشتی معرفی می شوند. ویژگی قابل توجه LECTOR این است که در هر دو حالت فعال و غیرفعال مدار، فعال می باشد که این منجر به کاهش نشتی بهتری نسبت به روش های دیگر می شود. همچنین، روش ارایه شده، دارای محدودیت های کمتری نسبت به دیگر روش های موجود برای کاهش نشتی دارد. نتایج تجربی نشان دهنده ی یک کاهش نشتی متوسط 79.4 درصدی را برای مدارات محک(بنچ مارک) MCNC’91 نشان می دهند.

کلیدواژه: ریزمیکرون ژرف، نشت توان، بهینه سازی توان، پشته ترانزیستور

1.مقدمه:

تلف توان موضوع مهمی در طراحی مدارات CMOS VLSI می باشد. مصرف توان زیاد،موجب کاهش عمر باطری در کاربردهای دارای باطری می شود و در قابلیت اطمینان، بسته ای سازی، و هزینه های خنک سازی تاثیر می گذارد. منابع اصلی تلفات توان این ها هستند: 1) تلفات توان خازنی مبنی بر شارژ و تخلیه ی(دشارژ) خازن بار. 2) جریان های اتصال کوتاه،بدلیل وجود یک مسیر رسانا میان منبع ولتاژ و گراند برای مدت کوتاهی در حین اینکه یک دروازه منطقی در حال عبور جریان از خود است؛ و 3) جریان نشتی. جریان نشتی شامل جریان های دیود بایاس معکوس و جریان های زیرآستانه می باشد. 

جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید